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J-GLOBAL ID：200903098653332659

レジストパタンの形成方法

Inventor：
古川 貴光

About 古川 貴光

, 
青山 亮一

About 青山 亮一


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280783
Publication number (International publication number)：1999119443
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ArF光(波長198nm)等の短波長光に頼らないレジストパタンの微細化手法を実現する。【解決手段】 先ず、被加工膜10の上にポジレジスト12を塗布する。次に、所定のマスク14を用いてポジレジストの露光を行う。マスクを介してポジレジストを露光することにより、マスクのパタンをポジレジストに転写する。次に、ポジレジストを現像して仮レジストパタン12aを形成する。マスクの開口部分bに対応した仮レジストパタンの位置にはホールパタン16aが形成される。現像後、仮レジストパタンのベークを行う。このベークにより仮レジストパタンを変形させ、レジストパタン12bを形成する。本来、レジストに対するベークは残留溶媒および残留水分の除去を目的として行うが、この形成例では上記目的の通常のベークよりも高い温度でベークを行う。このように、通常よりも高い温度でベークを行うことによって仮レジストパタンの寸法を縮小させる。この結果、ホールパタンの口径は縮小し、新規のホールパタン16bが形成される。
Claim (excerpt)：
被加工膜の上にレジストを塗布する工程と、所定のマスクを用いて前記レジストの露光を行う工程と、前記レジストを現像して仮レジストパタンを形成する工程と、残留溶媒および残留水分の除去を目的とした通常のベークよりも高い温度で現像後のベークを行うことにより前記仮レジストパタンを変形させ、レジストパタンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパタンの形成方法。
IPC (3)：
G03F 7/40 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 7/40 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 568
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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