磁気記憶素子、磁気記憶装置および携帯端末装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001095976
Publication number (International publication number)：2002299574
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】磁気記憶素子或いは磁気記憶装置の書込み時の消費電力、クロストーク、EMの改善を図る。【解決手段】2つの書込み線2,3を少なくともTMRセル1近傍において平行に配置し、TMRセル1の磁化容易軸をこれと45°傾けて配置する。2つの書込み線2,3には少なくともTMRセル1近傍において、外部磁場の影響を遮断する磁気シールド4を備える。

Claim (excerpt)：

第1の書き込み線と、前記第1の書込み線の直上に備えられ、少なくとも1つのトンネルバリア層と、少なくとも2つの強磁性層と、少なくとも1つの反強磁性層とを有し、磁化容易軸が前記第1の書き込み線と略45°の角度を有する強磁性トンネル接合膜と、前記強磁性トンネル接合膜の上面に接続され、少なくとも前記強磁性トンネル接合膜の近傍で前記第1の書き込み線と平行な第2の書き込み線と、を具備することを特徴とする磁気記憶素子。

IPC (4)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (10)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA11 , 5F083GA30 , 5F083JA36 , 5F083JA60 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083PR21 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

磁気メモリ、磁気メモリの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-182154 Applicant：シャープ株式会社
メモリセル装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-512211 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
情報記録媒体とその記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-229532 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Cited by examiner (11)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-182154 Applicant：シャープ株式会社
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