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J-GLOBAL ID：200903030666047054

反応現像画像形成法

Inventor：
友井 正男

About 友井 正男

, 
大山 俊幸

About 大山 俊幸


Applicant, Patent owner：
よこはまティーエルオー株式会社

About よこはまティーエルオー株式会社


Agent (2)： 下田 昭 ,  赤尾 謙一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003375137
Publication number (International publication number)：2005140878
Application date： Nov. 05, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】 側鎖にカルボニル基を有するポリマーを用い、これを現像液に可溶にすることによりフォトレジストを形成する新規な「反応現像画像形成法」を提供する。 【解決手段】 本発明は、基板上に側鎖にカルボニル基を有するポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、該フォトレジスト層を下式 MO-R-X(式中、Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属、Rはアルキレン基、Xは1級アミノ基、2級アミノ基又は3級アミノ基を表す。)で表される金属アルコキシドを含む第1現像液で処理する第1現像段階、及びその後このフォトレジスト層を酸を含む第2現像液で処理する第2現像段階から成る反応現像画像形成法である。 【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
基板上に側鎖にカルボニル基を有するポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、該フォトレジスト層を下式 MO-R-X (式中、Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属、Rはアルキレン基、Xは1級アミノ基、2級アミノ基又は3級アミノ基を表す。)で表される金属アルコキシドを含む第1現像液で処理する第1現像段階、及びその後このフォトレジスト層を酸を含む第2現像液で処理する第2現像段階から成る反応現像画像形成法。
IPC (4)：
G03F7/32 ,  G03F7/032 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027
FI (4)：
G03F7/32 ,  G03F7/032 ,  G03F7/38 511 ,  H01L21/30 502R
F-Term (15)：
2H025AA02 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB41 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096BA09 ,  2H096GA10 ,  2H096GA15 ,  2H096GA60
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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