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J-GLOBAL ID：200903030711031474

DC非移送型熱プラズマトーチを使用して炭素ナノチューブを製造する方法

Inventor：
ハーベック ディヴィッド

About ハーベック ディヴィッド

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ムニエール ジャン リュック

About ムニエール ジャン リュック


Applicant, Patent owner：
マックギル ユニヴァーシティー

About マックギル ユニヴァーシティー


Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004552314
Publication number (International publication number)：2006508008
Application date： Nov. 17, 2003
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：
本発明は、炭素ナノチューブ及び炭素ナノオニオンから選択された炭素ナノ構造を製造する方法を提供する。この方法は、炭素含有ガスを、プラズマ形成ガスから発生されたプラズマ炎へ注入して、原子状炭素を発生するステップであって、この原子状炭素は、炭素ナノ構造を成長させる核生成ポイントとして働くその場で発生されたナノメーターサイズの金属触媒粒子の存在中で、炭素ナノ構造を発生するものであるステップと、その炭素ナノ構造を収集するステップとを備えている。
Claim (excerpt)：
炭素ナノチューブ及び炭素ナノオニオンから選択された炭素ナノ構造を製造する方法において、 炭素含有ガスを、プラズマ形成ガスから発生されたプラズマ炎へ注入して、原子状炭素を発生するステップであって、この原子状炭素は、炭素ナノ構造を成長させる核生成ポイントとして働くその場で発生されたナノメーターサイズの金属触媒粒子の存在中で、炭素ナノ構造を発生するものであるステップと、 前記炭素ナノ構造を収集するステップと、 を備えた方法。
IPC (5)：
C01B 31/02 ,  H05H 1/26 ,  H05H 1/30 ,  H05H 1/32 ,  H05H 1/42
FI (5)：
C01B31/02 101F ,  H05H1/26 ,  H05H1/30 ,  H05H1/32 ,  H05H1/42
F-Term (17)：
4G146AA11 ,  4G146AB01 ,  4G146BA11 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA21 ,  4G146DA23 ,  4G146DA45 ,  4G146DA47 ,  4G146DA48
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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