配線膜の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安田敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999183875
Publication number (International publication number)：2001007050
Application date： Jun. 29, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】銅系・銀系の金属配線膜をスパッタリング法によって形成する際に同時に金属配線膜中に水素ガスをドープさせることにより、金属配線膜材料の金属材料原子の拡散による移動を促進することである。【解決手段】孔・溝が形成された絶縁膜を有する基板の当該絶縁膜の表面を、銅もしくは銅合金又は銀もしくは銀合金の金属材料で被膜することにより、前記孔・溝の内部に該金属材料を充填して配線膜を形成する方法であって、水素ガスを含む不活性ガス雰囲気下においてスパッタリング法により前記金属材料による配線膜を形成した後、加熱処理することにより前記孔・溝内部に前記金属材料を充填する。

Claim (excerpt)：

孔・溝が形成された絶縁膜を有する基板の当該絶縁膜の表面を、銅もしくは銅合金又は銀もしくは銀合金の金属材料で被膜することにより、前記孔・溝の内部に該金属材料を充填して配線膜を形成する方法であって、前記金属材料による配線膜を形成した後、加熱処理することにより前記孔・溝内部に前記金属材料を充填することを特徴とする配線膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 , C23C 14/34 , C23C 14/58 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/285 S , C23C 14/34 M , C23C 14/58 A , H01L 21/88 M

F-Term (39)：

4K029AA29 , 4K029BA04 , 4K029BA08 , 4K029BA21 , 4K029BA22 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 4M104BB32 , 4M104DD41 , 4M104DD42 , 4M104DD79 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH13 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033JJ32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP16 , 5F033PP18 , 5F033QQ09 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ86 , 5F033RR04 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-043623 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-152133 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-244966 Applicant：株式会社日立製作所

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