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J-GLOBAL ID：200903030805710790

量子ドットのエネルギー準位を制御した半導体素子およびそのための半導体素子の製造方法

Inventor：
天野 建

About 天野 建


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006010483
Publication number (International publication number)：2007194378
Application date： Jan. 18, 2006
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：
【課題】 エネルギー準位を任意のレベルに設定することができる量子ドットのエネルギー準位を制御する方法およびそれを用いた半導体素子を提供することにある。【解決手段】 半導体素子は、第1層の複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層又は第1層の複数のInGaAs量子ドットを有するInGaAs薄膜層と、前記第1層上に形成される第2層のInGaAs層を有する半導体素子であって、前記InAs量子ドット又は前記InGaAs量子ドットのエネルギー準位を前記InAs量子ドット又は前記InGaAs量子ドットの径を変えることにより制御することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1層の複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層又は第1層の複数のInGaAs量子ドットを有するInGaAs薄膜層と、 前記第1層上に形成される第2層のInGaAs層を有する半導体素子において、 前記InAs量子ドット又は前記InGaAs量子ドットのエネルギー準位を前記InAs量子ドット又は前記InGaAs量子ドットの径を変えることにより制御することを特徴とする半導体素子。
IPC (1)：
H01S 5/343
FI (1)：
H01S5/343
F-Term (5)：
5F173AF09 ,  5F173AF12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP10 ,  5F173AR02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)
  • 量子ドットを備えた素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-371061   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-181780   Applicant：株式会社国際電気通信基礎技術研究所

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