Pat

J-GLOBAL ID：200903030812061765

ペロブスカイト型酸化物のエッチング方法

Inventor： イマニュエル・イズリエル・クーパー ,  ピーター・リチャード・ダンコーム ,  ロバート・ベンジャミン・ライボヴィッツ ,  ロバート・ローゼンバーグ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999098333
Publication number (International publication number)：2000031133
Application date： Apr. 06, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 チタン酸塩誘電膜などのペロブスカイト型酸化膜表面のエッチングまたは洗浄に穏和な条件で用いることができるエッチャント溶液を提供すること。【解決手段】 このエッチャント溶液は、過酸化水素および任意選択で錯化剤を含む。この溶液をペロブスカイト型酸化膜のエッチング、洗浄、またはペロブスカイト型酸化膜への導電材料の付着に用いることで、下にある構造に悪い影響を与えることなく、選択性の高い有効なエッチングおよび洗浄が行われ、金属の付着が強化される。

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト型酸化膜表面を、周囲条件下で、過酸化水素(H2O2)を含むエッチャント溶液に接触させることを含む、ペロブスカイト酸化膜表面をエッチングまたは洗浄あるいはその両方を行う方法。

IPC (3)：

H01L 21/308 ,  C09K 13/04 ,  H01L 21/304 647

FI (3)：

H01L 21/308 E ,  C09K 13/04 ,  H01L 21/304 647 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-218743   Applicant：沖電気工業株式会社
• 薄膜コンデンサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-203809   Applicant：株式会社東芝
• 強誘電性材料表面用研磨剤及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-082605   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド