パワー半導体モジュール及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000253902
Publication number (International publication number)：2002076254
Application date： Aug. 24, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】リードフレーム接合部の安定性が高く、且つ安価なパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】配線基板5aのエミッタ用電極56及びゲート用電極57に半導体チップ1のエミッタ電極12及びゲート電極13を直接に半田接合し、コレクタ電極11にリードフレーム2aを半田接合して、コレクタ電極11を配線基板5aのコレクタ用電極(図1ではリードフレーム用電極)55に引き出す。リードフレーム2aをコの字形の両先端を外側に直角に曲げた形状とし、その表面積と熱容量を所定値以上に設定して、放熱板の機能を兼ねさせる。リードフレーム2aは幅広で両端支持となるため安定性に優れる。使用半田は1種類となり、部品数と工数が減る。

Claim (excerpt)：

半導体チップと、その半導体チップを搭載する配線基板と、配線基板側とは反対側の半導体チップの電極を配線基板の電極に接続するためのリードフレームと、これらの部材の電極間等を接合する半田層と、によって構成されるパワー半導体モジュールであって、半導体チップのエミッタ電極及びゲート電極が配線基板のエミッタ用電極及びゲート用電極のそれぞれに直接に半田接合され、半導体チップのコレクタ電極が、コの字形の両先端部の面を配線基板の面と同一平面になるように曲げられた形状のリードフレームに半田接合され、曲げられたリードフレームの両先端部が配線基板のコレクタ用電極に半田接合されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2)：

H01L 25/07 , H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

パワーデバイスチップの実装構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-160761 Applicant：日産自動車株式会社
特公昭57-039047
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-019431 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社

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