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J-GLOBAL ID：200903030849176597
厚膜形成用プラズマCVD装置
澤井 巳喜夫
, About 澤井 巳喜夫
辻 理
About 辻 理
Applicant, Patent owner：
株式会社サムコインターナショナル研究所
About 株式会社サムコインターナショナル研究所
Agent (1)： 小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995086267
Publication number (International publication number)：1996260156
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高速でシリコンや酸化シリコンの成膜を行なうことのできるプラズマCVD装置を提供する。【構成】 反応室11内に上部電極12と、被コーティング物18を載置する下部電極13とを略平行に配設し、被コーティング物の上表面よりも高い位置で被コーティング物の周囲を囲う第3電極16を設ける。シリコンアルコキシド系原料ガスを反応室内に導入し、上部電極及び第3電極を接地し、高周波電力24を、整合回路23を介して下部電極13に投入する。【効果】 下部電極が負となるセルフバイアスが生成され、下部電極近傍にイオンシースが生成される。イオンシースにより、プラズマ中で生成されたイオンが加速され、被コーティング物の表面に高速で成膜が行なわれる。接地第3電極16によりイオンシースの外側への膨出が抑制され、余分な箇所へのパーティクルの堆積が防止される。
Claim (excerpt)：
a)反応室内に上部電極と、被コーティング物を載置する下部電極とを略平行に配設し、b)被コーティング物の上表面よりも高い位置で被コーティング物の周囲を囲う第3電極を設け、c)原料としてシリコンアルコキシド系を含む有機ケイ素化合物を使用し、d)上部電極及び第3電極を接地し、高周波電源を、整合回路を介して下部電極に接続した、ことを特徴とする厚膜形成用プラズマCVD装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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