下層膜形成用材料

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006315776
Publication number (International publication number)：2008129423
Application date： Nov. 22, 2006
Publication date： Jun. 05, 2008
Summary：

【課題】エッチング耐性に優れた下層膜を形成できる下層膜形成用材料を提供する。【解決手段】基板とレジスト膜との間に下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、フラーレンC60のフラーレン骨格上に下記一般式(A1-1)[式(A1-1)中、R1〜R5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく有していなくてもよいヒドロキシフェニル基であり;R6は水素原子または炭素数1〜5のアルキル基である。]で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-1)を含有することを特徴とする下層膜形成用材料。[化1]【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板とレジスト膜との間に下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、フラーレンC60のフラーレン骨格上に下記一般式(A1-1)で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-1)を含有することを特徴とする下層膜形成用材料。

IPC (5)：

G03F 7/11 , H01L 21/027 , C09D 5/00 , C09D 7/12 , C09D 201/00

FI (5)：

G03F7/11 503 , H01L21/30 573 , C09D5/00 D , C09D7/12 , C09D201/00

F-Term (19)：

2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025CB29 , 2H025CC17 , 2H025DA23 , 2H025DA27 , 2H025DA34 , 2H025FA41 , 4J038GA03 , 4J038JA04 , 4J038JA64 , 4J038KA03 , 4J038NA04 , 5F046NA18 , 5F046NA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-201310 Applicant：東京応化工業株式会社
リソグラフィー用下地材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-343436 Applicant：東京応化工業株式会社
半導体装置の製造方法及びパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-157397 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page