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J-GLOBAL ID：200903031011161950

シリコンオンインシュレータ構造及びその製造方法

Inventor： ワークホウブン クリス ,  ラアイマケルス イボ ,  アレナ チャンタル
Applicant, Patent owner： エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド
Agent (3)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004504268
Publication number (International publication number)：2005524987
Application date： May. 07, 2003
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

基板上への単結晶絶縁体層の形成、それに続く、その層上への半導体層のヘテロエピタキシーによって、シリコンオンインシュレータ(SOI)構造を形成する。原子層成長(ALD)法を用いることによって非晶質絶縁体層を形成し、続いて固相エピタキシーによって、その層を単結晶構造に変換することが好ましい。結晶性絶縁体層は、その上に形成される半導体層の結晶構造及び格子定数に近似しており、三元系の絶縁体材料は、層の特性のマッチングを容易にするという特長を有している。歪みを含むシリコン層が、バッファ層を必要とすることなく形成される。絶縁体層の下に、必要に応じて非晶質SiO2層を形成する。さらに、活性な半導体層に所定の歪みを生成させるために、基板と絶縁体層との間又は絶縁体層と半導体層との間のいずれかに、バッファ層を形成してもよい。

Claim (excerpt)：

基板上にエピタキシャル絶縁体層を形成するステップと、 該エピタキシャル絶縁体層上に、エピタキシャル半導体層を形成するステップと を含むことを特徴とする半導体オンインシュレータ構造の製造方法。

IPC (4)：

H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (5)：

H01L27/12 E ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618E

F-Term (13)：

5F052JA05 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F110AA30 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置、薄膜トランジスタ及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-280401   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体基板およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-301459   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
• 特開平3-109299
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-030873   Applicant：株式会社東芝
• 特開平1-036046
  
• 特開昭63-015442
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Surface-controlled growth of LaAlO3 thin films by atomic layer epitaxy"