高周波導入部材及びプラズマ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997084044
Publication number (International publication number)：1998284299
Application date： Apr. 02, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】高周波バイアスに対する対向電極としても機能しプラズマ装置の設計の自由度向上に寄与し得る高周波導入部材を提供すること。【解決手段】本発明は、減圧容器12の外部に配置されたアンテナ28から放出される高周波電磁界を前記減圧容器12内に導入すべく前記減圧容器12の一部として設けられる高周波導入部材16において、誘電体材料からなる高周波導入部材本体18と、前記高周波導入部材本体18の一面に設けられたチタン薄膜のような導電性薄膜22とを有することを特徴としている。このような導電性薄膜22を設けたことで、高周波導入部材16が電極としても機能し、大きな電極面積比を持つことができる。その結果、ドライエッチング装置10に適用した場合、エッチング速度や選択比等を向上させることができ、また、容器内面のスパッタが抑制される。

Claim (excerpt)：

減圧容器の外部に配置されたアンテナから放出される高周波電磁界を前記減圧容器内に導入すべく前記減圧容器の一部として設けられる高周波導入部材であって、誘電体材料からなる高周波導入部材本体と、前記高周波導入部材本体の一面に設けられた導電性薄膜とを有することを特徴とする高周波導入部材。

IPC (5)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 L , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-184321 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマ装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-345822 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平1-140600

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