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J-GLOBAL ID：200903031109605636

エピタキシャル成長用基板およびその製造方法

Inventor： 浅井 圭一郎 ,  柴田 智彦 ,  中村 幸則
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999326561
Publication number (International publication number)：2001144014
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】欠陥が少なく結晶性に優れていると共に表面平坦性に優れているエピタキシャル成長用基板、特にAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)膜をエピタキシャル成長させるための基板およびその製造方法をを提供する。【解決手段】C面サファイア基板本体11をアンモニア雰囲気に曝して表面に窒化アルミ膜13を数百オングストロームの膜厚に形成した後、サファイア基板本体11をCVD室14に導入し、窒化アルミ膜13の上に、結晶性の良好なAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)膜15をエピタキシャル成長により形成する。その後、このAlxGayInzN膜15の表面を化学機械研磨により研磨し、表面を平坦化して、結晶性に優れていると共に表面平坦性に優れたエピタキシャル成長用基板が得られる。このエピタキシャル成長用基板の上にエピタキシャル成長により形成されるAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)膜も結晶性が優れていると共に表面平坦性に優れたものとなる。

Claim (excerpt)：

サファイア、SiC、GaNなどの基板本体と、この基板本体の一方の表面に堆積形成されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)膜とを具え、このAlxGayInzN膜の、前記基板本体とは反対側の表面を研磨により平坦としたことを特徴とするエピタキシャル成長用基板。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/38 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/38 ,  H01L 33/00 C

F-Term (29)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AB09 ,  5F045AB18 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB19 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045GH09 ,  5F045GH10 ,  5F045HA06 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052JA08 ,  5F052JB10 ,  5F052KA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-050859   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭63-178516
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-061078   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開昭63-178516