半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998061078
Publication number (International publication number)：1999261106
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】高品質の半導体発光素子、半導体受光素子、半導体光変調器、およびこれらの素子を集積化した光集積回路を安価に提供すること。【解決手段】絶縁性あるいは半絶縁性基板1上に形成された半導体装置であって、能動素子部の積層構造6〜11と、基板1に近い電極15との間に、電子親和力の小さい半導体層4と不純物が添加された電子親和力の大きい半導体層5とよりなる積層構造を有することを特徴とする半導体装置によって上記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

絶縁性あるいは半絶縁性基板上に形成され、横方向にキャリアを走行させるための導電層を素子部の積層構造の下部に有する半導体装置において、前記導電層が、電子親和力の小さい第1の半導体層と不純物が添加された電子親和力の大きい第2の半導体層とをこの順に積層してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 31/00

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 31/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-051232 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-025003 Applicant：株式会社東芝
窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-066536 Applicant：ソニー株式会社

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