Pat
J-GLOBAL ID：200903031129863992
単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001269440
Publication number (International publication number)：2002145698
Application date： Sep. 05, 2001
Publication date： May. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 OSF領域をインゴットの周縁部から中心部へ広く分布させ、その領域内側にはFPDは存在せずDSODのみが存在する低密度の微小ベーカンシー欠陥領域を生じさせ、更にFPDとDSODが共存する粗大ベーカンシー欠陥領域を縮小ないし究極的に除去することにより、その品質の向上を図り、更にデバイスの収率の向上を図る単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 単結晶シリコンウェーハは、中心軸を含んでおり、中心軸に対して対称な形でFPDとDSODが共存する第1領域と、第1領域の外側からウェーハの周縁部に向って形成され、FPDは存在せずDSODのみが存在する第2領域と、第2領域の外側からウェーハの周縁部に向って形成され、OSF領域が存在する第3領域と、第3領域とウェーハ周縁部との間に形成され、凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又は凝集ベーカンシー無欠陥領域とインタースティシャル無欠陥領域とが共存する第4領域と、を含む。
Claim (excerpt)：
中心軸と、周縁部と、前記中心軸から前記周縁部への半径を有するウェーハにおいて、前記中心軸を含んでおり、前記中心軸に対して対称な形でFPDとDSODとが共存する第1領域と、前記第1領域の外側から前記ウェーハの周縁部へ向って形成され、FPDは存在せずDSODのみが存在する第2領域と、前記第2領域の外側から前記ウェーハの周縁部へ向って形成され、酸化誘起積層欠陥領域(OSF)が存在する第3領域と、前記第3領域と前記ウェーハの周縁部との間に形成され、凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又は凝集ベーカンシー無欠陥領域と凝集インタースティシャル無欠陥領域とが共存する第4領域と、を含むことを特徴とするウェーハ。
IPC (3)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 H
, C30B 29/06 502 E
, C30B 29/06 502 J
, H01L 21/208 P
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EA02
, 4G077EG18
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077PF55
, 5F053AA13
, 5F053AA22
, 5F053AA44
, 5F053BB33
, 5F053DD01
, 5F053GG01
, 5F053RR03
