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J-GLOBAL ID：200903031141867111

窒化物半導体装置

Inventor：
土屋 忠厳

About 土屋 忠厳


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999275429
Publication number (International publication number)：2001102564
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】高電子移動度トランジスタのヘテロ界面のピエゾ電荷によるクーロン散乱を軽減して、チャネル層の本来の高い電子移動度の実現を図る。【解決手段】n型不純物をドープした窒化アルミニウム・ガリウムから成る電子供給層6と、ノンドープの窒化ガリウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るチャネル層4とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造において、上記電子供給層6と上記チャネル層4との間に、弾性的な歪みを有しない、従って弾性歪みが小さくピエゾ電荷の現れない窒化化合物半導体から成るスペーサ層5を挿入する。
Claim (excerpt)：
n型不純物をドープした窒化アルミニウム・ガリウムから成るn型層と、ノンドープの窒化ガリウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るノンドープ層とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造において、上記n型層と上記ノンドープ層との間に弾性的な歪みを有しない窒化化合物半導体層を挿入したことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
F-Term (14)：
5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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