誘電体薄膜合成用CVD反応炉

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993010420
Publication number (International publication number)：1994224179
Application date： Jan. 26, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】特性の良好な誘電体薄膜を合成することを目的とする。【構成】加熱および活性酸化ガスの少なくとも一方による予備反応部16を主反応部13の前段に有するものである。また、加熱機構として、ヒーターによる抵抗加熱、誘導加熱、および赤外線加熱のいずれか、またはそれらを組み合わせて使用するものである。さらに、活性酸化ガスとして、オゾンガス、亜酸化窒素、酸化窒素、および水蒸気のいずれか、またはそれらを組み合わせて使用するものである。

Claim (excerpt)：

加熱および活性酸化ガスの少なくとも一方による予備反応部を主反応部の前段に有することを特徴とする誘電体薄膜合成用CVD反応炉。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-266631
強誘電性セラミツクス薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-156866 Applicant：三菱電機株式会社
特開平1-189135

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