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J-GLOBAL ID：200903031316940712

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
大巻 雄治

About 大巻 雄治


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (2)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005070814
Publication number (International publication number)：2006253559
Application date： Mar. 14, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：
【課題】電極界面との接触抵抗を低減した高効率な電界効果トランジスタ等を提供する。【課題手段】電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなる第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成され、第1の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、且つ残留ドナー濃度が5×1012/cm-2以上となる窒化物半導体からなる第2の半導体層と、第2の半導体層上に各々形成されるソース電極、ゲート電極及びドレイン電極とをそれぞれ備える電界効果トランジスタであって、ソース電極及び/又はドレイン電極は、少なくとも第2の半導体層の一部に形成された段差部分上に形成されている。この構造により、段差部分でチャネル形成部分と電極との接触面積を増やし、オーミック接触の接触抵抗を下げて効率を改善できる。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
窒化物半導体からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、且つ残留ドナー濃度が5×1019/cm-3以下となる窒化物半導体からなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に各々形成されるソース電極、ゲート電極及びドレイン電極とをそれぞれ備える電界効果トランジスタであって、 前記ソース電極及び/又はドレイン電極は、少なくとも前記第2の半導体層の一部に形成された段差部分上に形成されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423
FI (4)：
H01L29/80 H ,  H01L29/44 S ,  H01L29/50 J ,  H01L29/58 Z
F-Term (44)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104FF07 ,  4M104FF26 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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