半導体ヨーレートセンサ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202003
Publication number (International publication number)：1996061959
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】温度特性を向上させた半導体ヨーレートセンサを提供する。【構成】可動電極14,151,152を水平方向に振動させている時に、ヨーレートが可動電極14,151,152に加わるとコリオリの力により可動電極14,151,152が半導体基板11に対し垂直方向に変位する。この変位をソース電極171,172とドレイン電極181,182間のドレイン電流にて検出する。このドレイン電流が所定の電流値になるように、下部電極601〜603に電圧を印加し、可動電極14,151,152を一定の位置に保持するようフィードバック制御する。この時のフィードバック制御量によりヨーレートイを検出する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板の表面から所定の間隔を隔てて上方に位置する可動電極と、この可動電極を前記半導体基板に対して水平方向に振動させる振動手段と、前記可動電極の前記半導体基板に対する垂直方向の変位を検出する垂直変位検出手段と、前記振動手段により前記可動電極を水平方向に振動させている時に、前記垂直変位検出手段にて検出した前記可動電極の変位に応じ前記可動電極と前記半導体基板の間隔を一定に保つように前記可動電極の垂直方向の変位を制御する垂直変位制御手段とを備え、この垂直変位制御手段による前記可動電極の制御量にてヨーレートを検出するようにしたことを特徴とする半導体ヨーレートセンサ。

IPC (2)：

G01C 19/56 , G01P 9/04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平4-278464
半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347244 Applicant：日本電装株式会社
半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347250 Applicant：日本電装株式会社

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Cited by examiner (9)

特開平4-278464
特開平4-278464
半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347244 Applicant：日本電装株式会社

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