有機トランジスタ並びに有機電子デバイス及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002188190
Publication number (International publication number)：2004031801
Application date： Jun. 27, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】絶縁性の優れた絶縁膜、及び有機分子の結晶成長が促進された有機半導体膜を有する有機電子トランジスタ及び該有機電子トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】有機トランジスタは、基板1に形成されたゲート電極2、ゲート電極2に形成されたゲート絶縁膜3、ゲート絶縁膜3に形成された、塗れ性の高い有機材料を含む第一の有機膜4、第一の有機膜4に形成された、疎水基を有する複数の有機分子からなる有機材料を含む第二の有機膜5、第二の有機膜5に形成された、有機半導体材料を含む有機半導体膜6、並びに有機半導体膜6に形成されたソース電極7及びドレイン電極8、を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも二つの電極、少なくとも一つの該電極に形成された少なくとも一つの絶縁膜、少なくとも一つの前記絶縁膜に形成された塗れ性の高い有機材料を含む少なくとも一つの第一の有機膜、該少なくとも一つの第一の有機膜に形成された疎水基を有する有機材料を含む少なくとも一つの第二の有機膜、及び該少なくとも一つの第二の有機膜に形成された、有機半導体材料を含む少なくとも一つの有機半導体膜、を有することを特徴とする有機電子デバイス。

IPC (4)：

H01L29/786 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L51/00

FI (6)：

H01L29/78 618B , H01L21/312 N , H01L21/316 M , H01L29/78 617U , H01L29/78 618E , H01L29/28

F-Term (35)：

5F058AC10 , 5F058AD10 , 5F058AF04 , 5F058AH10 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F058BF12 , 5F058BJ01 , 5F110AA01 , 5F110AA12 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-001237 Applicant：松下電器産業株式会社
配向積層膜とその製造方法及びそれを用いた有機電子素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-009074 Applicant：松下電器産業株式会社
有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-028474 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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