バイポーラ半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉田研二 , 石田純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004002367
Publication number (International publication number)：2005197472
Application date： Jan. 07, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】バイポーラ半導体要素が複数配置された半導体装置の温度分布を抑制する。【解決手段】半導体装置102は、ゲート電極を有する縦型バイポーラ半導体要素32〜38を備える。チップ周辺部26の半導体要素32〜34のp型高濃度ドリフト領域42における結晶欠陥分布が最大となる深さは、チップ中央部の半導体要素36〜38のp型高濃度ドリフト領域42における結晶欠陥分布が最大となる深さと比べ、p型高濃度ドリフト領域42の厚みの中央から近い。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

ゲート電極を有する縦型バイポーラ半導体要素が複数配置された半導体装置において、前記複数の半導体要素のうち半導体装置周辺部より内側に配置された少なくとも1つの半導体要素のドリフト領域のキャリアライフタイムが、前記複数の半導体要素のうち前記半導体装置周辺部の半導体要素のドリフト領域のキャリアライフタイムより長いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (6)：

H01L29/78 655F , H01L29/78 652H , H01L29/78 652M , H01L29/78 652P , H01L29/78 653A , H01L29/78 658H

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-082692 Applicant：トヨタ自動車株式会社

Cited by examiner (6)

電力用半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-001713 Applicant：三菱電機株式会社
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-175430 Applicant：日本電装株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-055775 Applicant：株式会社日立製作所

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