半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995088038
Publication number (International publication number)：1996288241
Application date： Apr. 13, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】サリサイド技術による金属シリサイド層の形成において、絶縁領域へのオーバー成長を抑制するとともに、熱処理においても安定した性質の金属シリサイド層を得る。【構成】基板1全面にCo膜8とシリサイド形成温度がCo膜8より高いTi膜9とを順次形成し、コバルト(Co)のシリサイド形成温度より高くかつチタン(Ti)のシリサイド形成温度より低い温度で加熱処理を行うことにより、表面の部分のみコバルト(Co)およびチタン(Ti)を含有しかつ他の部分はコバルト(Co)のみ含有する金属シリサイド層10を形成する。【効果】絶縁領域へのオーバー成長を抑制でき、ショート不良が防止される。

Claim (excerpt)：

シリコン領域と絶縁材料の領域とに仕切られた半導体基板の表面に、金属膜を形成した後加熱処理を行うことにより、自己整合的に形成した金属シリサイド層を有する半導体装置において、前記金属シリサイド層の表面の部分は、第1の金属とシリサイド形成温度が前記第1の金属より高い第2の金属とを含有する金属シリサイドで形成され、他の部分は前記第1の金属のみを含有する金属シリサイドで形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/28 301 T , H01L 29/78 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-230631 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-239438 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-156887 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-230631 Applicant：日本電気株式会社

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