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J-GLOBAL ID：200903031851724620

スピン注入型磁化反転素子

Inventor：
久保木 孔之

About 久保木 孔之


Applicant, Patent owner：
富士電機ホールディングス株式会社

About 富士電機ホールディングス株式会社


Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006129515
Publication number (International publication number)：2007305629
Application date： May. 08, 2006
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：
【課題】本発明は、配線数および消費電力の増大を防ぎ、高い出力が得られる多値記憶磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、少なくとも下部電極、反強磁性層、強磁性ピン層、第一中間層、第一強磁性フリー層、第二中間層、第二強磁性フリー層および上部電極をこの順で下部電極上に設けたスピン注入型磁化反転素子であって、前記第一および第二強磁性フリー層がbcc構造を有し、且つ、第一強磁性フリー層と第二強磁性フリー層の磁化反転臨界電流密度が異なることを特徴とするスピン注入型磁化反転素子に関する。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
少なくとも下部電極、反強磁性層、強磁性ピン層、第一中間層、第一強磁性フリー層、第二中間層、第二強磁性フリー層および上部電極をこの順で下部電極上に設けたスピン注入型磁化反転素子であって、前記第一および第二強磁性フリー層がbcc構造を有し、且つ、第一強磁性フリー層と第二強磁性フリー層の磁化反転臨界電流密度が異なることを特徴とするスピン注入型磁化反転素子。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82
FI (3)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z
F-Term (27)：
4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119KK15 ,  5F092AA02 ,  5F092AB07 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB51 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC13 ,  5F092BE13 ,  5F092BE23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 磁性メモリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-221409   Applicant：日本ビクター株式会社
  • 磁気セル及び磁気メモリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-396201   Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (3)

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