パーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富田和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001273622
Publication number (International publication number)：2003082453
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】液晶ディスプレイにおける透明導電膜や半導体装置の電極膜をスパッタリングにより形成するためのパーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Mo素地中にMo化合物粒子相が分散している燒結組織を有するMoスパッタリングターゲットにおいて、前記Mo化合物粒子相の最大径をAμm、最小径をBμmとすると、(A+B)/2が8μm以下であるパーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲットであって、このターゲットは、Mo粉末を容器に充填し、このMo粉末を充填した容器を脱気しながら600〜1150°Cの温度範囲に保持した後、容器を真空封入して熱間静水圧プレスすることにより製造する。

Claim (excerpt)：

Mo素地中にMo化合物粒子相が分散している焼結組織を有するMoスパッタリングターゲットにおいて、前記Mo化合物粒子相の最大径をAμm、最小径をBμmとすると、(A+B)/2が8μm以下であることを特徴とするパーティクル発生の少ないMoスパッタリングターゲット。

IPC (5)：

C23C 14/34 , G02F 1/1345 , H01B 1/02 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (5)：

C23C 14/34 A , G02F 1/1345 , H01B 1/02 Z , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R

F-Term (17)：

2H092KA15 , 2H092KB13 , 2H092MA05 , 2H092NA29 , 4K029BA11 , 4K029BC09 , 4K029BD02 , 4K029DC03 , 4K029DC09 , 4M104BB16 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD78 , 4M104HH20 , 5G301AA30 , 5G301AB20 , 5G301AD10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-150356
スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-212568 Applicant：東ソー株式会社
クロムスパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-199003 Applicant：東ソー株式会社

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