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J-GLOBAL ID：200903031932420846

半導体ウェーハの外観検査方法および装置

Inventor：
小池 明

About 小池 明


Applicant, Patent owner：
東芝セラミックス株式会社

About 東芝セラミックス株式会社


Agent (1)： 木下 茂 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996177107
Publication number (International publication number)：1997252035
Application date： Jun. 17, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体ウェーハの検査速度を向上させること。【解決手段】 ウェーハ供給キャリア2に収納された半導体ウェーハ1は、第1ウェーハ搬送ロボット24により搬送され、第1検査位置3において第1撮像カメラ4によってウェーハ表面の全体が撮像される。撮像された画像信号より、ウェーハ表面の異常位置が検出され、続いて半導体ウェーハ1は、第2ウェーハ搬送ロボット26により、第2検査位置8に搬送される。第2検査位置8においては第2撮像カメラ9によってウェーハ上の異常位置を拡大して撮像する。その撮像された画像信号より良品または不良品の識別が成され、ウェーハ搬送ロボット26は検査済みの半導体ウェーハ1を、良品収納キャリア12または不良品収納キャリア13に納入する。
Claim (excerpt)：
キャリアによって供給される半導体ウェーハの表面全体を撮像カメラにより撮像し、半導体ウェーハ表面の異常位置をXY方向の単位面積に分けて特定すると共に、特定された前記半導体ウェーハの表面の単位面積位置を撮像カメラにより撮像して半導体ウェーハを良品または不良品に識別するようにしたことを特徴とする半導体ウェーハの外観検査方法。
IPC (5)：
H01L 21/66 ,  B65G 43/08 ,  G01N 21/84 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/68
FI (5)：
H01L 21/66 J ,  B65G 43/08 F ,  G01N 21/84 C ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/68 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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