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J-GLOBAL ID：200903031942753770

半導体装置を製造する方法

Inventor： ケビン・ディー・ルーカス ,  マイケル・イー・クリング ,  アルフレッド・ジェイ・リーチ ,  チョンチェン・フー ,  ジェームズ・モロウ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 池内 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997191949
Publication number (International publication number)：1998083069
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 分解能の低下を抑えかつ最新の半導体装置製造の品質標準に適用できるリソグラフ用レチクルを製造可能にする。【解決手段】 半導体装置を製造するプロセスはレチクル基板10の上に横たわるリソグラフパターン18を有するリソグラフ用レチクル20の形成を含む。一実施形態では、レチクル検査データベースはリソグラフパターン18を検査するために変更された分解能援助機能部30,32を導入する。レチクル検査データベースとリソグラフ用レチクルの間の寸法差はレチクル製造の間に実現されるプロセスバイアスに実質的に等しい。変更された分解能援助機能部を含むレチクル検査データベースを使用するリソグラフ用レチクル20の検査は欠陥の誤った検出を低減しかつレチクル検査プロセスにおける増大された感度を提供する。

Claim (excerpt)：

半導体装置を製造する方法であって、特定されたレチクル特徴形状部を有するレチクル発生データベースを提供する段階、前記レチクル発生データベースに基づきリソグラフ用レチクル(20)を提供する段階であって、前記リソグラフ用レチクル(20)は前記特定されたレチクル特徴形状部に対応する実際のレチクル特徴形状部を有するもの、変更されたレチクル特徴形状部(28,94,101)を有するレチクル検査データベースを提供する段階であって、前記変更されたレチクル特徴形状部(28,94,101)は前記特定されたレチクル特徴形状部に基づくもの、そして前記レチクル検査データベースを使用して前記リソグラフ用レチクル(20)を検査する段階、を具備することを特徴とする半導体装置を製造する方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 S ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 515 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 光露光用マスクの検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-130426   Applicant：松下電子工業株式会社
• 露光用レチクルのパターン検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-059888   Applicant：富士通株式会社
• マスクROMの露光データ作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-295697   Applicant：富士通株式会社
• マスクパターン検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-305145   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平1-107530