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J-GLOBAL ID：200903032031563628
窒化物単結晶の製造方法及びその製造装置
宮澤 信太郎
, About 宮澤 信太郎
馬淵 利明
, About 馬淵 利明
真田 和夫
About 真田 和夫
Applicant, Patent owner：
学校法人早稲田大学
, About 学校法人早稲田大学
株式会社フジクラ
About 株式会社フジクラ
Agent (4)： 三好 秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又 澄雄 , 高橋 俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004211526
Publication number (International publication number)：2006027976
Application date： Jul. 20, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：
【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を、その有利な製造装置と共に提供する。【解決手段】 加熱炉1内の原料9及び種結晶7を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶7上の温度が原料9の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶7の温度を原料9の温度よりも高くする。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
加熱炉内で窒化物単結晶用の原料を加熱して昇華させ、昇華させた原料を、前記加熱炉内に設けられた種結晶上に析出させて単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法において、
前記加熱炉内の原料及び種結晶を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶上の温度が原料の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶の温度を原料の温度よりも高くすることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。
IPC (3)：
FI (3)：
F-Term (16)：
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DA18
, 4G077EA02
, 4G077EG16
, 4G077EG18
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA08
, 4G077SA12
, 5F041AA31
, 5F041CA40
, 5F173AH22
, 5F173AH41
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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窒化物単結晶及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-094078 Applicant：住友電気工業株式会社 -
炭化ケイ素単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-354681 Applicant：日新製鋼株式会社 -
窒化アルミニウム成長のためのエピタキシャル成長法および成長チャンバ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-515359 Applicant：ボダコフ,ユーリアレクサンドラビッチ, カルポフ,セルゲイユーリエビッチ, マカロフ,ユーリーニコラエビッチ, モホフ,エフゲニーニコラエビッチ, ラム,マルクグリゴーリエビッチ, ロエンコフ,アレクサンドルドミトリエビッチ, セガール,アレクサンドルソロモノビッチ
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