光半導体素子の実装構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133458
Publication number (International publication number)：1999330617
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】ハンダ接合時や環境温度変動時の光半導体素子における応力や歪みを大きく低減できる光半導体素子の実装構造を提供する。【解決手段】光半導体素子1の下面に設けられたAu電極2は、AuSnハンダ6を介してSi基板3上のAu電極5に接合されている。このAu電極5は光半導体素子1のAu電極2に対応して2個のテーパ状凸部7の上面にそれぞれ設けられている。2個のテーパ状凸部7は、Si基板3に3本の平行なV溝4を設けることで形成されている。

Claim (excerpt)：

光半導体素子の電極パッドに対応して基板上に電極パッドが設けられ、光半導体素子および基板の電極パッド間がハンダで接合されている光半導体素子の実装構造であって、前記基板の電極パッドは、前記基板に複数の溝を平行に設けることで形成された複数個の凸部の上面にそれぞれ設けられていることを特徴とする光半導体素子の実装構造。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 31/02

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 31/02 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ素子用サブマウント
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-095728 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-072688
レーザダイオードモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-120028 Applicant：古河電気工業株式会社, 日本電信電話株式会社

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