Pat
J-GLOBAL ID：200903032231454319

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
齋藤 武博

About 齋藤 武博


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001249799
Publication number (International publication number)：2003060076
Application date： Aug. 21, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 nチャンネルMOSFETの電子の移動度が向上し,電流駆動能力を高めることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に形成されたnチャンネルMOSFETとpチャンネルMOSFETとを有する半導体装置であって、nチャンネルMOSFETを覆う引張の真性応力を有する窒化膜14と、pチャンネルMOSFETを覆う圧縮の真性応力を有する窒化膜16とを有する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に形成されたnチャンネルMOSFETとpチャンネルMOSFETとを有する半導体装置において、nチャンネルMOSFETを覆う引張の真性応力を有する第1の窒化膜と、pチャンネルMOSFETを覆う圧縮の真性応力を有する第2の窒化膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/8238 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78
FI (3)：
H01L 21/318 M ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 29/78 301 N
F-Term (33)：
5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048DA00 ,  5F048DA23 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ07 ,  5F140AA05 ,  5F140AA08 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-310662   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-379786   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-342667   Applicant：株式会社日立製作所
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM