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J-GLOBAL ID：200903009428311976

半導体装置

Inventor： 太田 裕之 ,  熊谷 幸博 ,  安藤 敏夫 ,  佐藤 英紀 ,  清水 昭博
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000379786
Publication number (International publication number)：2002176174
Application date： Dec. 08, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】トランジスタの微細化に対応するためにコールドウォール型の枚葉式熱CVD装置を用いてセルフ・アラインコンタクト用のシリコン窒化膜を成膜した場合においても、pチャネル型トランジスタのソース・ドレイン電流の減少を防ぎ、信頼性が高く、かつ高速な半導体装置を提供することにある。【解決手段】セルフ・アラインコンタクト用の窒化シリコン膜を成膜する場合に、サイドウォールをコールドウォール型の枚葉式熱CVD装置で形成し、CVD装置のチャンバの内壁温度を30°C以下にする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、その表面に設けられたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜に接して設けられたゲート電極膜と、前記ゲート電極膜の側面に設けられたサイドウォール膜と、前記ゲート電極膜とサイドウォール膜を内包するように設けられた窒化シリコン膜と、を有する半導体装置において、前記窒化シリコン膜が室温において850MPa以下の引張り応力を持つことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (5)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 N ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 321 F

F-Term (78)：

5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033NN40 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F040DB03 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC08 ,  5F040EC09 ,  5F040EC13 ,  5F040ED01 ,  5F040ED02 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040ED05 ,  5F040EH08 ,  5F040EJ09 ,  5F040EK05 ,  5F040EL06 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA10 ,  5F040FC15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DC65 ,  5F045DP03 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK07 ,  5F045GB05 ,  5F045HA15 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG03 ,  5F048DA00 ,  5F048DA27 ,  5F048DA28 ,  5F048DA30 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BG01 ,  5F058BG03 ,  5F058BH11 ,  5F058BH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-232191   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-011913   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-012221   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-153786   Applicant：日本電気株式会社