半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001342667
Publication number (International publication number)：2003086708
Application date： Nov. 08, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。pチャネル型電界効果トランジスタ30のゲート電極35を覆う応力制御膜39には、膜応力が、nチャネル型トランジスタ10の膜19より、圧縮応力側の膜を用いることにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された、nチャネル型電界効果トランジスタと、pチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、上記各トランジスタは、ゲート電極を内包し、ソース・ドレインの領域に隣接する位置まで伸びた絶縁膜を備え、上記絶縁膜は窒化珪素を主成分とし、上記nチャネル型電界効果トランジスタの上記絶縁膜の膜厚と上記pチャネル型電界効果トランジスタの上記絶縁膜の膜厚とは、相違することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/8238 , H01L 21/28 301 , H01L 21/318 , H01L 21/768 , H01L 27/092

FI (4)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/318 A , H01L 27/08 321 D , H01L 21/90 K

F-Term (94)：

4M104AA01 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104EE01 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104GG14 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033LL08 , 5F033MM07 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ59 , 5F033QQ60 , 5F033QQ61 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033XX19 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BD01 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG03 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BH15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-354846 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-011913 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-072278 Applicant：三洋電機株式会社

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