界面遷移領域の測定方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999109561
Publication number (International publication number)：2000304709
Application date： Apr. 16, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体装置の製造に使用する極薄膜の膜厚、界面遷移領域、界面のマイクロラフネス等を簡便に評価できるようにする。【解決手段】所定の入射エネルギーを有する電子が試料に照射され、試料を透過した電子のうち特定のエネルギー損失を有する電子強度が検出器で計測される。そして、この検出器で計測された電子強度のデータ処理が所定の方法でなされ、複数の材料が積層する試料の界面遷移領域、マイクロラフネス、極薄膜の膜厚が測定される。

Claim (excerpt)：

第1の物質と第2の物質の積層された基板の断面が切り出されて作成された試料に対して、前記断面に所定のエネルギーを有する電子が照射され、前記試料を透過する電子のうち特定のエネルギー損失を有する電子の電子量が計測されることを特徴とする界面遷移領域の測定方法。

IPC (4)：

G01N 23/04 , G01B 15/02 , H01J 37/252 , H01L 21/66

FI (5)：

G01N 23/04 , G01B 15/02 B , H01J 37/252 Z , H01L 21/66 P , H01L 21/66 Q

F-Term (29)：

2F067AA26 , 2F067AA27 , 2F067AA46 , 2F067BB17 , 2F067CC15 , 2F067DD07 , 2F067HH06 , 2F067KK06 , 2F067LL02 , 2F067LL19 , 2F067RR21 , 2G001AA03 , 2G001BA11 , 2G001CA03 , 2G001EA05 , 2G001FA18 , 2G001GA13 , 2G001HA13 , 2G001KA11 , 2G001KA20 , 2G001LA11 , 2G001RA01 , 4M106BA02 , 4M106CA24 , 4M106CA48 , 4M106DH03 , 4M106DH11 , 5C033RR02 , 5C033RR04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

濃度分布の解析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-319631 Applicant：ソニー株式会社
膜厚測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-125947 Applicant：株式会社テクノス研究所
透過型電子顕微鏡及び元素分布観察方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-048202 Applicant：株式会社日立製作所

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