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J-GLOBAL ID：200903032349129900
SiC単結晶の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 亀松 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006106145
Publication number (International publication number)：2007277049
Application date： Apr. 07, 2006
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：
【課題】温度勾配を増加させることなく成長速度を向上させ、同時に、安定して平坦な成長表面を維持できるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、上記Si融液に、希土類元素の少なくとも1種と、Sn、Al、Geのうちのいずれか1種とを添加する。希土類元素がDyまたはCeであることが望ましい。添加元素を含むSi融液全体に対して、希土類元素の添加量が5〜30at%であり、Sn、Al、Geのうちのいずれか1種の添加量が5〜20at%であることが望ましい。Sn、Al、GeのうちSnを添加することが望ましい。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、
上記Si融液に、希土類元素の少なくとも1種と、Sn、Al、Geのうちのいずれか1種とを添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (9)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077EC08
, 4G077EJ09
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA12
, 4G077QA26
Cited by applicant (3)
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炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-072033
Applicant：株式会社日立製作所
-
炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-164061
Applicant：住友金属工業株式会社
-
炭化珪素単結晶とその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-105567
Applicant：住友金属工業株式会社
Cited by examiner (2)
-
SiC単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-315361
Applicant：トヨタ自動車株式会社
-
炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-164061
Applicant：住友金属工業株式会社
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