電界効果トランジスタを用いる分子間相互作用の検知

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：吉武賢次 , 永井浩之 , 岡田淳平 , 勝沼宏仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006526699
Publication number (International publication number)：2007506085
Application date： Sep. 17, 2004
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：

【解決手段】コア構造と、拡張ゲート構造とを有する電界効果トランジスタ(FET)を備えた分子間相互作用を検知するために用いられるセンサー(1)は、コア構造(5-10)及び拡張ゲート構造(2)を含んでいる。このコア構造(5-10)及び拡張ゲート構造(2)は、基板の実質的に分離された領域に配置され、拡張ゲート構造はプローブ分子を固定することができる露出金属センサー電極(11)を含んでいる。センサーは、使用時に、金属センサー電極の露出表面で分子が相互作用することに反応して、FETの電気特性が変化するよう作動する。センサーは、露出ゲート金属上の固定された適切なプローブ分子を有する場合には、DNA結合のような生体分子相互作用を検知するのに、特に適している。

Claim (excerpt)：

コア構造と、拡張ゲート構造とを有する電界効果トランジスタ(FET)を備えた分子間相互作用を検知するために用いられるセンサーであって、コア構造及び拡張ゲート構造は基板の実質的に分離された領域に配置され、拡張ゲート構造はプローブ分子を固定することができる露出金属センサー電極を含んでおり、使用時に、金属センサー電極の露出表面で分子が相互作用することに反応して、FETの電気特性が変化するよう作動することを特徴とするセンサー。

IPC (2)：

G01N 27/414 , G01N 27/30

FI (4)：

G01N27/30 301U , G01N27/30 301N , G01N27/30 301K , G01N27/30 B

F-Term (7)：

4B024AA11 , 4B024AA19 , 4B024CA01 , 4B024CA09 , 4B024CA11 , 4B024CA20 , 4B024HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

センサ・セル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-389680 Applicant：セイコーエプソン株式会社
トランジスタを基礎とした装置および分子検出および電界増強のための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-510788 Applicant：モトローラ・インコーポレーテッド
特開昭62-288560

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