センサ・セル

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上柳雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001389680
Publication number (International publication number)：2003004697
Application date： Dec. 21, 2001
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】トランジスタの動作を利用して、センサ・セルにより受容されたサンプルの同定を提供する。【解決手段】センサ・セルが受容手段を具備し、該受容手段は、薄膜トランジスタT1と結合された電極10の形状を成すものであって、スイッチング・トランジスタT7を介してトランジスタT1のゲート電極へ供給される電圧は、同定対象サンプルの受容により電極で生じる静電容量値CAに従って制御される。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタと、同定対象サンプルを受容するための、前記薄膜トランジスタのゲート電極と結合された受容手段とを有するセンサ・セル。

IPC (2)：

G01N 27/414 , H01L 29/786

FI (4)：

G01N 27/30 301 Y , G01N 27/30 301 X , H01L 29/78 625 , H01L 29/78 613 Z

F-Term (9)：

5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

凹凸検出センサ、凹凸検出装置、指紋照合装置および個人判別装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-090437 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-363651
マイクロセンサーデバイス作成方法及びそれを用いた液体機能評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-273939 Applicant：セイコーエプソン株式会社, グラスゴー大学

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