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J-GLOBAL ID：200903032583928485

鉛フリーはんだバンプとその形成法

Inventor：
石井 隆生

About 石井 隆生

, 
青山 眞二

About 青山 眞二


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000221980
Publication number (International publication number)：2002043348
Application date： Jul. 24, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 二元以上の金属からなるはんだ合金を蒸着しても単体金属の蒸気圧が大きく異なるため、もとのはんだ合金と同じ組成の金属薄膜を得ることは非常に困難である。【解決手段】 基板1上に有機レジスト材を塗布してマスク2とし、マスク2をパターンマスク3に形成した。電子ビーム蒸着法によりパターンマスク3上にSn95%:Au5%の組成になるように900nm:28nmを6回繰り替えし約5.5μ膜厚の多層膜4にした。有機溶剤を用いたリフトオフ法によってパターンマスク3を除去し、多層膜4からなる80μmφの微小なはんだバンプ前駆体5を形成し、フラックス液を塗布し、約200°C、10minのアニールにより組成の均一化を行った。さらに、218°Cに温度を上げてリフローを行い微小な鉛フリーはんだバンプ6を形成した。
Claim (excerpt)：
Sn<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>(M:Au,Inのうち少なくとも一つ以上を含みかつ0<x≦0.5)なる組成を有する合金であることを特徴とする鉛フリーはんだバンプ。
IPC (6)：
H01L 21/60 ,  B23K 35/26 310 ,  C22C 13/00 ,  H05K 3/34 505 ,  H05K 3/34 ,  H05K 3/34 512
FI (7)：
B23K 35/26 310 A ,  C22C 13/00 ,  H05K 3/34 505 A ,  H05K 3/34 505 D ,  H05K 3/34 512 C ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 C
F-Term (9)：
5E319AA03 ,  5E319AC01 ,  5E319BB01 ,  5E319BB04 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319CD06 ,  5E319CD29 ,  5E319GG01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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