Pbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又は CSP等のICパッケ-ジ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯野政雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998249090
Publication number (International publication number)：2000068410
Application date： Aug. 20, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【目的】本発明はPbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジに関するもので、電子機器に使用する各種の電子部品から有害なメッキ材料を除去して環境保護に役立つようにする。【構成】 Pbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジにおいて、 BGA又はCSP の接続端子部分にSn(錫)をベ-スとし、In(インジウム)、Zn(亜鉛),Bi(ビスマス),Ag(銀)のいずれか1種類を選択し、前記Snに対するInの含有率を3〜5%、Snに対するZnの含有率を10〜20%,Snに対するBiの含有率を5〜10%、Snに対するAg含有率を5〜7%に設定し、 220°C 前後の融点で合金メッキを施したことを特徴とするPbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジ。

Claim (excerpt)：

Pbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジにおいて、 BGA又はCSP の接続端子部分にSn(錫)をベ-スとし、In(インジウム)、Zn(亜鉛),Bi(ビスマス),Ag(銀)のいずれか1種類を選択し、前記Snに対するInの含有率を3〜5%、Snに対するZnの含有率を10〜20%,Snに対するBiの含有率を5〜10%、Snに対するAg含有率を5〜7%に設定し、 220°C 前後の融点で合金メッキを施したことを特徴とするPbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又はCSP 等のICパッケ-ジ。

IPC (5)：

H01L 23/12 , B23K 35/26 310 , H01L 21/60 311 , H05K 3/34 512 , H01L 21/60

FI (5)：

H01L 23/12 L , B23K 35/26 310 D , H01L 21/60 311 S , H05K 3/34 512 C , H01L 21/92 603 B

F-Term (9)：

4M105AA01 , 4M105AA18 , 4M105FF03 , 5E319AA03 , 5E319AB05 , 5E319BB04 , 5E319BB07 , 5E319CC33 , 5E319GG20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

無鉛はんだを使用する相互接続構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299962 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置、回路基板及び電子回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-062209 Applicant：富士通株式会社
無鉛半田およびその使用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-336148 Applicant：ヴィーラントウェルケアクチーエンゲゼルシャフト

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