半導体素子、その製造方法および半導体素子製造装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998105218
Publication number (International publication number)：1999297947
Application date： Apr. 15, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】材料の無駄を減らし環境保護に貢献する新たな半導体素子の製造技術を提供する。【解決手段】薄膜により形成される半導体素子の製造技術に関する。下地となる面に半導体材料または誘電体材料を含んだ流動体(13)を吐出して付着させる。吐出された流動体(13)を固化させることにより薄膜(103)を形成する。

Claim (excerpt)：

誘電体薄膜を備える半導体素子であって、誘電体材料を含んだ流動体を下地となる面に付着させ固化させることにより形成された薄膜を備えていることを特徴とする半導体素子。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/316 G , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体記憶素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-281624 Applicant：ローム株式会社
誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-122672 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
酸化物誘電体薄膜の選択形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-150488 Applicant：住友電気工業株式会社

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