ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998079434
Publication number (International publication number)：1999282150
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】露光波長及び検査波長での透過率を容易に制御でき、且つ洗浄工程の耐薬品性を満足するハーフトーンブランク及びその製造法を提供することを目的とする。【解決手段】 SiとZrの2種類のターゲットを用いて、同時に反応性スパッタリングすることでSi及びZrの化合物薄膜を成膜してハーフトーンブランクを得るもので、このとき各々のターゲットに加える電力を制御することで、成膜後のハーフトーンブランク中に含まれるSiやZrの元素組成比を制御する。または、SiとZrを粉末の状態で混ぜた後プレス成形して得た混合物ターゲットを用いて、スパッタリングしてSi及びZrの化合物薄膜を成膜してハーフトーンブランクを得るものである。

Claim (excerpt)：

Si(シリコン)を構成要素として含むハーフトーン型位相シフトブランクにおいて、Si(シリコン)及びZr(ジルコニウム)のターゲットを同時に使用した反応性スパッタリングにより透明性基板上に形成されたZr及びSiの化合物薄膜からなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-030679 Applicant：ホーヤ株式会社
特開昭61-173253
特開昭61-173253

Show all

Return to Previous Page