非晶質炭素系被膜の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：目次誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997066126
Publication number (International publication number)：1998259481
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】表面平滑性に優れた非晶質炭素被膜を形成する。【解決手段】基板8上に非晶質炭素系被膜を形成する方法であり、被膜形成前または被膜形成中に、基板8の表面を清浄化するため、イオンガン12からのイオン照射などによって表面清浄化処理を行うことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に非晶質炭素系被膜を形成する方法において、被膜形成前または被膜形成中に、前記基板の表面を清浄化する表面清浄化処理を行うことを特徴とする非晶質炭素系被膜の形成方法。

IPC (5)：

C23C 16/02 , C01B 31/02 101 , C23C 14/02 , C23C 16/26 , C23G 5/00

FI (5)：

C23C 16/02 , C01B 31/02 101 Z , C23C 14/02 Z , C23C 16/26 , C23G 5/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平1-298094
ダイヤモンド状薄膜の合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-109661 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-304376

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