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J-GLOBAL ID：200903032692375879

p型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法

Inventor：
橋本 信

About 橋本 信

, 
田辺 達也

About 田辺 達也


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008006087
Publication number (International publication number)：2009170604
Application date： Jan. 15, 2008
Publication date： Jul. 30, 2009
Summary：
【課題】イオン注入法によりp型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法を提供する。【解決手段】マスク15を用いて窒化ガリウム系半導体膜13にp型ドーパント17のイオン注入を行って、窒化ガリウム系半導体膜13bを形成する。マスク15を除去した後に、窒化ガリウム系半導体膜13eの表面上にキャップ膜等を形成することなく、アンモニア及びヒドラジン系化合物の少なくともいずれか一つを含む雰囲気21中で窒化ガリウム系半導体膜13を温度TAにおいて熱処理してp型窒化ガリウム系半導体領域13hを形成する。窒化ガリウム系半導体膜13eの表面は雰囲気21に露出されている。熱処理により、窒化ガリウム系半導体膜13gが形成される。窒化ガリウム系半導体膜13gは、注入イオンが活性された領域13hと、アンドープのままである領域13dとを含む。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
p型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法であって、 窒化ガリウム系半導体にp型ドーパントのイオン注入を行う工程と、 前記イオン注入の後に、窒素を含むガスの第1の雰囲気中で前記窒化ガリウム系半導体を熱処理してp型窒化ガリウム系半導体領域を形成する工程と を備え、 前記第1の雰囲気は、アンモニア及びヒドラジン系化合物の少なくともいずれか一つを含む、ことを特徴とする方法。
IPC (2)：
H01L 21/265 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01L21/265 601A ,  H01L33/00 C
F-Term (3)：
5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA71
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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