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J-GLOBAL ID:200903032756343151
薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998086291
Publication number (International publication number):1999283934
Application date: Mar. 31, 1998
Publication date: Oct. 15, 1999
Summary:
【要約】【課題】 層間絶縁膜のコンタクトホールを介した画素電極とドレイン電極とのコンタクト抵抗値が、安定的に10E4Ω以下にすることができるTFTアレイの製造方法および液晶表示装置を提供する。【解決手段】 本発明の液晶表示装置用TFTの製造方法は、TFTを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該TFT領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜のドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含んでなるものである。
Claim (excerpt):
透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次設けて薄膜トランジスタを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該薄膜トランジスタ領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の前記ドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極とを形成する工程からなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4):
H01L 21/28
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (4):
H01L 21/28
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 627 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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特開平4-199029
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透過型液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-284158
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-266498
Applicant:富士通株式会社
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イメージセンサの透明電極の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-189886
Applicant:富士ゼロックス株式会社
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特開平4-010424
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コンタクトホールの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-033410
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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アクティブマトリクス液晶表示装置及びアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-150494
Applicant:エルジー電子株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-238103
Applicant:三洋電機株式会社
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薄膜トランジスタ及びその製造方法及び液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-123382
Applicant:富士通株式会社
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薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-286592
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開平4-199029
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特開平4-010424
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特開平4-199029
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特開平4-010424
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