薄膜トランジスタ及びその製造方法及び液晶表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996123382
Publication number (International publication number)：1997307114
Application date： May. 17, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法及び液晶表示装置に関し、ソース及びドレイン電極とゲート電極との重なりによる浮遊容量を低減し、且つコンタクト特性の優れた薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】基板14上に設けられたゲート電極34と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜36と、ゲート絶縁膜上に設けられた動作半導体膜38と、動作半導体膜上に設けられたチャネル保護膜40と、チャネル保護膜に覆われて動作半導体膜の両側に位置する半導体コンタクト部42、44と、チャネル保護膜の両側において該半導体コンタクト部に接続されるソース電極46及びドレイン電極48とを具備した構成とする。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられたゲート電極(34)と、該ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜(36)と、該ゲート絶縁膜上に設けられた動作半導体膜(38)と、該動作半導体膜上に設けられたチャネル保護膜(40)と、該チャネル保護膜に覆われて該動作半導体膜の両側に位置する半導体コンタクト部(42、44)と、該チャネル保護膜の両側において該半導体コンタクト部に接続されるソース電極(46)及びドレイン電極(48)とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 616 S , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 617 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-318168 Applicant：日本電気株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-009046 Applicant：京セラ株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-261423 Applicant：株式会社東芝

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