液晶表示装置用薄膜トランジスター及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小野由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001326774
Publication number (International publication number)：2002341384
Application date： Oct. 24, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】保護膜を単一層で形成してフォトマスクの数を減らすことができる液晶表示装置用薄膜トランジスター及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板50上にゲート配線52とゲート絶縁膜54と有機保護膜パターン58cを形成し、ゲート配線52上へゲート絶縁膜54と有機保護膜パターン58cにわたって形成された第2ビアホール61を形成する。第2ビアホール61の基底エッジでゲート絶縁膜54が有機保護膜パターン58cに比べて突出するように形成し、有機保護膜パターン58cの下部でアンダーカットを除去し、第2ビアホール61上にパッド電極64を形成する。保護膜を有機絶縁膜の単一層で形成し、保護膜下部でアンダーカットを除去して後続工程で蒸着される導電膜の段差塗布不良を防止する。

Claim (excerpt)：

表示領域及び前記表示領域の外郭に位置したパッド領域を含む基板上に形成され、第1方向に延びるゲート配線と、前記ゲート配線及び前記基板上に形成され、前記ゲート配線を部分的に露出するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンと一部重畳されながら、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第1方向と直交する第2方向に延びるデータ配線と、前記データ配線及び前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記データ配線を部分的に露出する第1ビアホールと部分的に露出された前記ゲート配線を露出する第2ビアホールを含む有機保護膜パターンと、前記有機保護膜パターン上に形成され、前記データ配線上に前記第1ビアホールを通じて前記データ配線と連結された画素電極と、前記有機保護膜パターン上に形成され、前記第2ビアホールを通じて前記ゲート配線と連結されたパッド電極を含み、前記第2ビアホールの基底エッジで前記ゲート絶縁膜が前記有機保護膜パターンに比べて、前記第2ビアホールの内側に突出されている液晶表示装置用薄膜トランジスター。

IPC (6)：

G02F 1/1368 , C23F 1/20 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1343 , H01L 21/3065 , H01L 29/786

FI (7)：

G02F 1/1368 , C23F 1/20 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1343 , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 612 A , H01L 21/302 M

F-Term (59)：

2H090HA03 , 2H090HB07X , 2H090HC05 , 2H090HC12 , 2H090HD05 , 2H090LA04 , 2H092GA17 , 2H092GA29 , 2H092HA02 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA04 , 2H092MA14 , 2H092MA19 , 2H092NA27 , 4K057WA11 , 4K057WB05 , 4K057WB15 , 4K057WB17 , 4K057WB20 , 4K057WE02 , 4K057WE04 , 4K057WE12 , 4K057WN01 , 4K057WN02 , 4K057WN04 , 5F004AA11 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB09 , 5F004DB16 , 5F004DB23 , 5F004EA28 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL14 , 5F110HM17 , 5F110HM20 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-331711 Applicant：株式会社アドバンスト・ディスプレイ
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-090797 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置用アレイ基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-083585 Applicant：ディスプレイ・テクノロジー株式会社, ティー・エフ・ピー・ディー株式会社

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Cited by examiner (4)

液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-331711 Applicant：株式会社アドバンスト・ディスプレイ
表示装置用アレイ基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-083585 Applicant：ディスプレイ・テクノロジー株式会社, ティー・エフ・ピー・ディー株式会社
半導体装置およびその作製方法
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