半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：花輪義男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999249987
Publication number (International publication number)：2001077142
Application date： Sep. 03, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の突起電極と半田との界面にクラックが発生しにくいようにする。【解決手段】封止膜7によって囲まれた突起電極は、銅からなる下部電極6aと半田からなる上部電極6bとからなっている。この結果、下部電極6aと上部電極6bとの界面が封止膜7の表面よりも内側に位置することになるので、当該界面に応力集中が生じることがなく、したがって当該界面にクラックが発生しにくいようにすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された突起電極を除く領域の前記半導体基板上に封止膜が形成された半導体装置において、前記突起電極は下部電極と該下部電極よりも低融点の金属からなる上部電極とを具備し、前記下部電極の上面は前記封止膜の上面よりも低くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 , H01L 23/12

FI (3)：

H01L 21/92 602 D , H01L 21/92 602 L , H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

柱状電極付き半導体ウエハ及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-018237 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-113658 Applicant：株式会社東芝
半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-016959 Applicant：旭化成電子株式会社, 旭化成工業株式会社

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Cited by examiner (4)

柱状電極付き半導体ウエハ及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-018237 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-113658 Applicant：株式会社東芝
半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-016959 Applicant：旭化成電子株式会社, 旭化成工業株式会社

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