柱状電極付き半導体ウエハ及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：綿貫隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999018237
Publication number (International publication number)：2000216185
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】はんだボール等の外部接続端子が確実に接合される柱状電極を有する柱状電極付き半導体ウエハを提供する。【解決手段】半導体ウエハ10の電極端子形成面に、一端側が各電極端子に接続された配線パターン22が絶縁層16を介して形成され、該各配線パターン22の他端側に柱状電極24が形成され、該各柱状電極24の頂部端面が露出して樹脂封止された柱状電極付き半導体ウエハにおいて、前記柱状電極の頂部端面にはんだめっき被膜46が形成される。はんだめっき被膜46の表面が封止樹脂28の外表面よりも突出するとともに、はんだめっき被膜46と表面にはんだめっき被膜が形成される下地層44との界面が封止樹脂28内に位置して樹脂封止されている。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの電極端子形成面に、一端側が各電極端子に接続された配線パターンが絶縁層を介して形成され、該各配線パターンの他端側に柱状電極が形成され、該各柱状電極の頂部端面が露出して樹脂封止された柱状電極付き半導体ウエハにおいて、前記柱状電極の頂部端面にはんだめっき被膜が形成されていることを特徴とする柱状電極付き半導体ウエハ。

FI (2)：

H01L 21/92 602 D , H01L 21/92 602 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-120687 Applicant：三菱電機株式会社
バンプの形成方法およびめっき装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-081331 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-187470 Applicant：株式会社東芝

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