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J-GLOBAL ID：200903032830125412

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
佐藤 政明

About 佐藤 政明

, 
白方 徹

About 白方 徹


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000142852
Publication number (International publication number)：2001326328
Application date： May. 16, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 配線遅延を起こさず、実装の制限を受けない電磁波による信号伝送を行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基体上に形成された機能素子あるいは複数の機能素子を含む機能ブロックの配線金属に接続したアンテナを備え、情報を重畳した電磁波をアンテナで送信あるいは受信することにより、機能素子あるいは機能ブロックの信号送信を行なう半導体装置であって、機能素子あるいは機能ブロックの配線金属が形成された前記半導体基体上に、少なくともアンテナの長さに相当する誘電体膜を形成し、この誘電体膜中に、配線金属に達する孔を形成する。その後、この孔内に金属を充填し、アンテナを形成する。アンテナ及び誘電体膜上に、別の誘電体膜を形成し、半導体装置を完成する。
Claim (excerpt)：
機能素子あるいは複数の機能素子を含む機能ブロックが形成された半導体基体上に、電磁波の伝送媒体となる誘電体と、該誘電体内に配置され、前記機能素子あるいは前記機能ブロックの配線金属に接続したアンテナとを備え、情報を重畳した電磁波を前記アンテナで送信あるいは受信することにより、前記機能素子あるいは前記機能ブロックの信号伝送を行うことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01Q 1/40
FI (4)：
H01Q 1/40 ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 U ,  H01L 27/04 A
F-Term (10)：
5F038CD06 ,  5F038CD09 ,  5F038CD20 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ20 ,  5J046AA07 ,  5J046AA09 ,  5J046AA19 ,  5J046AB13 ,  5J046PA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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