電子装置の製造方法およびこの製造に用いる非晶質薄膜形成用インク組成物

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小野寺洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004249050
Publication number (International publication number)：2006066294
Application date： Aug. 27, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】蒸留又は昇華により精製される有機低分子材料を材料利用効率の高いインクジェット法を用い、スループットが高く、大型有機ELパネルや有機薄膜トランジスタ等の電子装置の製造が可能なる方法を提供する。【解決手段】 2種類の溶剤を混合し、最適インク粘度の確保と、乾燥過程におけるインクの表面張力並びに上記有機材料の溶解限を増加させることによって、隔壁層で区画された凹領域のみに選択的に、インクジェット法で有機材料の非晶質膜形成する。2種類の溶剤の第一の溶剤は溶解度が0.5wt%以上の第1溶媒で、第二の溶剤は溶解度が0.1wt%以下の第2溶媒である。第1溶媒の沸点は第2溶媒の沸点よりも高い方が望ましく、このインク溶剤系を用いることによって、インク中の第1溶媒の比率が乾燥と共に増加することから、結晶核や凝集の発生を抑制でき、均一な非晶質薄膜形成が可能となる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

複数の活性層の積層又は並設、あるいはそれらの積層と並設とで所定の機能構造を実現する電子装置の製造方法であって、前記複数の活性層の少なくとも一層を、蒸留又は昇華により精製される有機材料を含むインク組成物をインクジェット法で塗布して、非晶質薄膜を形成することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (7)：

H05B 33/10 , C09D 11/00 , H01L 21/288 , H01L 51/50 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (8)：

H05B33/10 , C09D11/00 , H01L21/288 Z , H05B33/14 A , H01L29/78 612D , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28

F-Term (67)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007FA01 , 4J039AB02 , 4J039AD01 , 4J039AD02 , 4J039AD03 , 4J039AD05 , 4J039AD07 , 4J039AD08 , 4J039AD10 , 4J039AE00 , 4J039AE01 , 4J039AE03 , 4J039AE04 , 4J039AE05 , 4J039AE06 , 4J039AE08 , 4J039AE10 , 4J039AE11 , 4J039BC03 , 4J039BC07 , 4J039BC12 , 4J039BE01 , 4J039BE12 , 4J039FA02 , 4J039FA04 , 4J039GA24 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104DD21 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (15)

電界発光素子の製造方法および電界発光素子
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スピロ化合物およびエレクトロルミネセンス材料としてのそれらの使用
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