炭化珪素半導体装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999267535
Publication number (International publication number)：2001094120
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】高エネルギーのイオン注入を行わなくても、ソース領域の下方までゲート領域が入り込んだ構造を形成できるようにする。【解決手段】 n型ドリフト領域2の表層部のうち、p型ゲート領域4の形成予定部分に、n型ソース領域3よりも深い所定深さまでC(炭素)をイオン注入する。そして、n型ドリフト領域2の表層部のうち、Cが注入された領域4A及び該Cが注入された深さよりも深い領域4Bまで第2導電型不純物をイオン注入する。その後、熱処理により、p型不純物を活性化させる。これにより、Cが注入された深さまでにおいては、p型不純物の横方向拡散が抑制され、Cが注入された深さよりも深い領域においては、p型不純物が横方向拡散され、ソース領域の下方まで入り込むようにp型ゲート領域4が形成される。

Claim (excerpt)：

主表面と該主表面の反対面を有する低抵抗なドレイン領域(1)と、前記ドレイン領域の前記主表面に形成され、該ドレイン領域よりも高抵抗な第1導電型のドリフト領域(2)と、前記ドリフト領域の表層部に形成され、該ドリフト領域よりも低抵抗な第1導電型のソース領域(3)と、前記ドリフト領域の表層部において、前記ソース領域の両側のそれぞれに該ソース領域から離間した状態で形成された第2導電型のゲート領域(4)と、前記ゲート領域上に形成され、該ゲート領域に電気的に接続されたゲート電極(6)と、前記ソース領域上に形成され、該ソース領域に電気的に接続されたソース電極(7)と、前記ドレイン領域のうち前記反対面に形成され、該ドレイン領域に電気的に接続されたドレイン電極(8)とを備え、前記ゲート領域は、前記ドリフト領域の表面から前記ソース領域よりも接合深さが深い位置まで形成された第1の領域(4A)と、該第1の領域よりも接合深さが深く形成されており、前記ソース領域の下方まで入り込むように構成された第2の領域(4B)とを備えており、前記第2の領域は、前記第1の領域よりも不純物濃度が低くなっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

F-Term (12)：

5F102FA01 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F102GR07 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

炭化けい素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-100026 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭57-172765
特開昭59-052882

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