半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996146993
Publication number (International publication number)：1997069497
Application date： Jun. 10, 1996
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】コバルトシリサイドを用いたサリサイドプロセスにより製造する半導体装置において、低抵抗で、かつ配線間ショート不良のない、コバルトシリサイド膜の形成方法を提供する。【解決手段】シリコン基板(101)上にフィールド絶縁膜(103)(106)により絶縁領域を形成する工程と、前記シリコン基板(101)を加熱しながらコバルト膜(111)を堆積し、真空を破ることなく真空室内で前記シリコン基板(101)を加熱することで、前記コバルト膜(111)とシリコン基板を反応させて選択的にCo2 Si膜を形成する工程と、第1の熱処理を行ってCoSi膜(112)を形成する工程と、未反応のCo(111)を除去する工程と、第1の熱処理に比べて、高温で第2の熱処理を行ってCoSi2 膜を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に選択的に形成される絶縁膜間に高融点金属シリサイド層を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板を加熱しながら高融点金属を堆積する工程と、未反応の前記高融点金属を除去する工程と、熱処理を行って高融点金属シリサイド層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/28 301 T , H01L 21/285 301 T , H01L 21/88 Q , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

MOSトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-289131 Applicant：ソニー株式会社
SOI構造のMOSFETとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-119135 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198120 Applicant：富士通株式会社

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